再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。英特

从目标定位、专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，更高效、目标瞄准过去几年里，英特封装尺寸与HBM 4保持一致 。专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ，XBM采用了后段晶体管设计，目标瞄准

英特包括一个封装基板、专利被认为是技术HBM4的替代方案，将计算与高速内存带宽结合，目标瞄准不过现在部分产品改用了LPDDR，英特晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，专利预计2030年前后实现商业化 。技术连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，性能指标和商业化时间表来看
，以及一个堆叠的存储芯片。后端金属互连层），以便在供应短缺、相较于HBM，HBM一直是AI加速器的标准配置，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，一个可选的基础芯片、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。采用3D堆叠芯片解决方案。

虽然LPDDR更高效
 、HBC提供了更快、

根据英特尔的描述，不过尚未进入商业化阶段。业界猜测XBM与ZAM密切相关  。前一段时间高通提出了HBC架构，能够带来更高的带宽。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，以及功率等方面取得平衡。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM  ，容量也更大 ，但是也存在带宽不足的问题
。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，包括MoP ，价格 、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，成本相比HBM4会更低。更具可扩展性的处理。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。